l        设备 磁控溅射系统 muffle炉

l        靶材 ZnO 衬底->->->

l        真空度 2.5*10^-3Pa

l        气体质量流量比 Ar:O₂=14:10

l        反应气压 3Pa

l        溅射功率 80W

l        溅射时间 17min 膜厚 约100nm

l        退火时间 1h 退火温度->->->

l        玻璃衬底

 

 

v        分析:

Bragg公式，d为ZnO(002)晶面间距。

Scherrer公式 ，D为晶粒尺寸。

v        计算结果如下:

参数	1#	2#	3#	4#
d/nm	0.2637	0.2607	0.2600	0.2600
D/nm	14.78	16.14	22.20	25.37

玻璃衬底I、d、D曲线

v        随着退火温度升高，缺陷大量消失，晶粒长大，排列趋于均匀致密，C轴取向增

强，ZnO薄膜的结晶质量显著提高。

v        改变衬底材料，进一步提高退火温度...

v        比较5#、6#样品，可得出与前述相同的结论。

v        比较6#、7#样品，退火温度过高，薄膜结构疏松，衍射峰强迅速下降。由于锌和氧

的热扩散或蒸发过度等原因，使缺陷浓度增加，样品的结晶质量下降。

激发波长：325nm

发光峰位：402nm近紫外峰

发光峰强：弱->强->弱

v        原生样品 浓度淬灭

v        退火温度合适 结晶完善

v        退火温度过高 结晶质量下降

<完>