引言
八十年代以来,“PLD”(脉冲激光沉积)技术制膜得到很大应用,引起人们较大兴趣。
实验 [张树东等,激光烧蚀Al靶产生的等离子体中辐射粒子的速度与激波,物理学报,Vol.50,No.8, 1512,2001] 指出:
功率密度~1010 w cm-2
波长λ=1060 nm
脉宽t=10ns
激光打在Al靶上,观测到Al I,II,III发射谱线,其中,


很强,本文试图解释之。
近似与模型
w0/w
= 2.7,不在共振区,半经典近似过不去,必须用全量子方法。模型取为孤立Al原子与光场的作用,且只考虑

二能级间跃迁,不考虑其他能级,作粗略估算。
理论计算
相干态近似(汪克林等提出),考虑到三阶,光场与孤立Al原子系统的波函数为:

|α>是光场相干态,有
|α>=Exp[αa+|0>]
a|α>=
α|α>
由相干态近似法f1+g1=0
系统的哈密顿量H=HA+HL+HAL,原子的哈氏量HA,光场HL,相互作用项HAL,由光场的二次量子化可知HL,HAL


是单,双,三光子与原子作用的耦合常数。
取到三阶,主要基于
w0/w=2.7
由Schrōdinger Equ.

可得到系统的演化方程


要求Hψ,利用

由此可展开Hψ,对应a+j(j=0,1,2,3)项的系数相等,可得到方程组:

求解线性方程组,得到系统演化的常微分方程组,
过于繁琐,不再列出。
计算处于上能级几率P : P=A/B

求B只需将上式中“f”换为“g”
数值求解系统演化的微分方程时:
w0=4.78*1015HZ
w=1.77*1015HZ
初值除g0=1,其他fj,gj(j=0,1,2,3)为0
步长h=10-18s,作了105次迭代,
即算到了t=10-13s






结论与问题
n
有较大几率(0.5ω,1ω,0.1ω)处于上能级,这也许正是发射谱线的来源。但几率又不是太大,处于电离态的原子 更少(实验也证实了这一点)。由此,喷溅气体的等离子特性并不明显,理论处理 “PLD”喷溅时可用热模型
n
耦合常数较大或光子数较大时几率较大
n
单个原子几率p 剧烈震荡,且峰在生高
n
10-13 s <t< 10-8s,p如何变化?
n
功率密度与所取初值如何联系?即上面α取2.0,2.5的理由何在?
n
直观感觉,峰是单,双,三光子三种作用之一的峰?耦合常数较大时有接近的双峰出现 ,两种作用相当的结果?
n
从能带与表面物理角度更仔细考虑,结果如何?
总之 采用三阶相干态近似,并考虑了三光子吸收,理论上计算了的跃迁几率,解释了实验中观测到的跃迁,为类似计算提供了一个范式。