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标题:

Au膜的晶粒尺寸随工艺参数的变化

——四级物理实验期末报告

作者:

江勇 PB01203100
李奇 PB01203196

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Introduction

做完大学物理四级实验《薄膜制备与测试》后,李奇同学和我做了薄膜晶粒方向的调研,并在许小亮老师的指导下做了相关的特色实验,实验内容是“晶粒大小随工艺参数的变化”。

纳米金属颗粒薄膜的非线性光学研究,在国际上引起高度重视,这是因为入射光可在金属颗粒间产生的很强的表面等离子激元(SP) 共振增强效应。我们认为,经SP共振增强后的激光,可作为ZnO基纳米颗粒激光材料的激发光源。而颗粒尺寸是对SP增强效应有很大的影响,因此研究纳米颗粒尺寸的变化有着重要的意义。

Left:     SNOM image of percolation gold-glass film

Right:   Local field-intensity distribution for the same area

 

Experimental & Discussion

n        实验的各个参数如下:

组号

薄膜厚度

Ar气压

衬底温度

溅射功率

1

3nm24nm

3.0Pa

200

6.5w

2

12nm

0.5Pa6.0Pa

200

10w

3

12nm

3.0Pa

135 ℃~300

6.5w

 

n        纳米金属颗粒膜的XRD

l        四个峰分别对应于Au膜的(111),(200),(220)(311)面:

l        对(111)峰进行Lorentz拟合(右下图),可得衍射峰的半高宽B,从而由Scherrer公式计算晶粒大小。

n        晶粒尺寸随厚度的变化

根据XRD图,由Scherrer公式:D=0.94λ/B cosθ可以计算晶粒直径,列表如下:

9#

3

2 3590

3.5593

8#

6

1.1239

7.4777

7#

12

0.6042

13.9122

14#

24

0.5228

16.0843

 

n        不同厚度下的AuAFM图:

 

 

n        晶粒在团簇的基础上呈柱状生长,在薄膜较薄的情况下,晶粒的大小与薄膜厚度相当,当薄膜厚度增加时,晶粒大小便会相应地增加。

n        晶粒尺寸随Ar气压的变化:

 

 

工作气压/Pa

D/nm

B/(º)

5#

0.5

11.7831

0.7135

3#

1.0

13.7874

0.6012

1#

3.0

14.7547

0.5697

4#

6.0

13.0275

0.6451

 

n        晶粒大小随Ar气压的变化主要受两个相互制约的因素影响:

l        气压升高,气体对Au原子的散射作用增强,沉积速率下降,Au原子有足够的时间结晶,晶粒尺寸变大。

l        同时,Ar+离子增多,溅射率和沉积速率增加,晶粒尺寸响应减小。

 

n        晶粒尺寸随衬底温度的变化:

 

 T/

D/nm

B/(º)

6#

常温

7.0446

1.1941

10#

135

12.0294

0.6988

2#

200

12.1671

0.6910

12#

300

12.7804

0.6575

 

n        当衬底温度升高时,Au原子打在基片上后,过剩能量增多,Au原子在基片表面容易移动到平衡的位置,有利于Au的取向生长,晶粒尺寸变大。

 

Conclusion

现将本实验的结论总结如下:

n        在几纳米和十几纳米的量级晶粒大小与薄膜厚度相当,随厚度几乎呈线性变化。

n        Ar气压较低的情况下,Ar原子的散射作用占主导地位,晶粒大小随气压升高而增大,Ar气压较低的情况下,Ar+的对靶材的轰击作用占主导地位,晶粒大小随气压升高而减小。

n        晶粒大小随衬底温度的升高而逐渐升高

 

Reference

S.Ducourtieux,V.A.Podolskiy,Phys. Rev . 20016416

M.Adamik,P.B.Barna,I.Tomov, Thin Solid Film. 2000,33(38)

Neerinck,A.E.M.De Veirman etc, Thin Solid Film. 1996,136(141)

G.Horowitz,M.E.Hajlaoui,Synthetic Metals.2001,185(189)

倪星元,吴永刚,吴广明,张慧琴,金哲明。材料研究学报,1999133

L.Eckertova著,王广阳等译,薄膜物理学。北京:科学出版社,1986P69-P71

 

The end

Thank you!!!

<完>

中国科学技术大学 2003 by USTC

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