设计性内容

n        作为例证，这里给出以下三个实验内容作为参考．

n        (1)利用X射线光电子能谱进行定性、定量和相应的化学状态分析

n        样品：化学清洗干燥后的单晶硅片．

n        要求：1)硅片表面含哪些元素；

n        2)这些元素的原子百分比含量；

n        3)分析这些元素的化学状态及其来源；

n        (2)利用改变光电子出射角作深度分布分析

n        样品：清洗后的单晶硅片．

n        要求：改变光电子出射角，测定各元素的含量比及化学状态变化．

n        (3)硅表面氧化钝化

n        样品：硅片表面经氩离子溅射清洁处理后，又在1 000℃下热退火．

n        要求：1)观测室温下不同的氧曝露量(0、3、10、30、100、1 000Langmtir)下硅表面氧的含量，硅和氧的反应情况，并给出硅表面氧的吸附曲线；

n        2)改变硅衬底的温度(如250 t)重复1)的实验，观察表面化学反应的情况，并做出该温度下的吸附曲线．

n        光电子能谱仪是结构复杂、技术要求高、设备昂贵、数量有限和使用人员多的实验室专用设备．从事该项实验的申请人员必须按程序计划安排、专人指导、限期完成．