设计性内容

n        1．自行设计方案，用真空镀膜或溅射镀膜方法制备掺Sn的In2O3薄膜（ITO），并测试样品的光学、电学性质。

n        2. 以掺Al的ZnO薄膜为样板，参考有关文献，自拟薄膜制备方案，实现ZnO薄膜制备,掌握半导体透明导电薄膜的制备技术。通过对薄膜样品的电学、光学等特性的测量，总结ZnO薄膜的特点及其应用的意义。